| 产品特性：功率MOSFET | 品牌：UTC | 型号：8N60 |
| 种类：绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 |
| 用途：SW-REG/开关电源 | 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 批号：23+ |
| 封装：TO-220F | 数量：5000 | QQ：1186670662 |
| 资质：代理 | 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
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型号：8N60
封装：SOP-8 T/R
品牌：TO-220F
8A，600V N沟道功率MOSFET
说明
UTC 8N60是一种高电压、大电流功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻，并具有高度坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路中的高速开关应用。
功能
● RDS（开）<1.2?@VGS=10伏
● Chao低栅极电荷（典型28 nC）
● 低反向转移电容（CRSS=典型的12.0 pF）
● 快速切换能力
● 指-定雪崩能量
● 改进的dv/dt功能，高-耐-用-性
