| 产品特性：功率MOSFET | 品牌：UTC | 型号：7N65 |
| 种类：绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 |
| 用途：SW-REG/开关电源 | 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 批号：23+ |
| 封装：TO-220F | 数量：18000 | QQ：1186670662 |
| 资质：代理 | 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
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7N65，7.4A，650V N沟道功率MOSFET
说明
UTC 7N65是一种高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻，并具有高度坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器中的高速开关应用。
功能
● RDS（ON）=1.2? @VGS=10伏
● Chao低栅极电荷（典型29 nC）
● 低反向转移电容（CRSS=典型的16pF）
● 快速切换能力
● 雪崩能量测试
● 改进的dv/dt功能，高-耐-用-性
12N65，12A，650V N沟道功率MOSFET
说明
UTC 12N65是N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用UTC专-有的平面条纹和DMOS技术生产。这些设备适用于髙效率的开关模式电源。为了限度地减少导通电阻，提供卓-越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，特别定制了先-进的技术。
功能
● RDS（开）=0.85? @VGS=10伏
● Chao低栅极电荷（典型为42nC）
● 低反向转移电容（CRSS=典型的25 pF）
● 快速切换能力
● 指-定雪崩能量
● 改进的dv/dt功能，高-耐-用-性
