产品特性:功率MOSFET | 品牌:UTC | 型号:5N60 |
种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 |
用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 批号:23+ |
封装:TO-252 | 数量:12000 | QQ:1186670662 |
资质:代理 | 货源:原厂 | 可售卖地:全国 |
UTC一级代理,5N60L TO-252 T/R ,5N65L TO-252 T/R深圳現货
5.0A,600V N沟道功率MOSFET
说明
UTC 5N60是一种高压功率MOSFET,设计具有更好的特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻,并具有高度坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC-DC转换器和桥接电路中的高速开关应用。
功能
RDS(ON)≤2.2? @ VGS=10V,ID=2.5A
Chao低栅极电荷(典型15nC)
低反向转移电容(CRSS=典型6.5 pF)
快速切换能力
雪崩规定能量
提高dv/dt性能,高-耐-用-性