产品特性:低导通电阻 | 品牌:BlueRocket/蓝箭电子 | 型号:BSS123 |
封装:SOT-23 | 批号:24+ | FET类型:功率MOSFET |
漏源电压(Vdss):100V | 漏极电流(Id):8A | 漏源导通电阻(RDS On):0.023Ω |
栅源电压(Vgs):1.1~2.5V | 栅极电荷(Qg):21nC | 反向恢复时间:3.0ns |
最大耗散功率:75mW | 工作温度范围:-55 to 150°C | 安装类型:插入式 |
应用领域:汽车电子、 智能家居、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备 | 数量:20000 | QQ:1186670662 |
资质:代理 | 货源:原厂 | 可售卖地:全国 |
深圳市科瑞芯电子是BlueRocket/蓝箭电子的代理商,商品原厂原装
供应SOT-23塑封封装N沟道MOS场效应管,可为终端客户提供样品及技术支持!
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型号:BSS123
封装:SOT-23
数量:3000只/卷盘
品牌:BlueRocket/蓝箭电子
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
● Drain–Source Breakdown Voltage, VGS=0V ID=250μA: 100V
● ero Gate Voltage Drain Current:
IDSS(1) VDS=100V VGS=0V: 1.0μA
IDSS(2) VDS=100V VGS=0V Tj=85℃: 30μA
● Gate–Body Leakage, IGSS VGS=±20 VDS=0V: ±10uA
● On–State Drain Current, VDS=5.0V VGS=10V: 0.68A
● Gate Threshold Voltage: VDS=VGS ID=250uA: 1.5V 2.0V 2.5V
● Static Drain–Source On–Resistance:
RDS(on)(1) VGS=10V ID=0.17A: 3.3Ω-6.0Ω
RDS(on)(2) VGS=4.5V ID=0.17A: 4.0Ω-10Ω
● Drain–Source Diode Forward Voltage, VGS=0V IS=0.34A: 0.8V-1.3V
● Input Capacitance, VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz: 73pF
● Output Capacitance, VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz: 7pF
● Reverse Transfer Capacitance, VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz: 3.4pF
● Turn–On Delay Time, ID=0.28A VGS=10V VDD=30V RG=6.0Ω: 1.8ns
● Turn–On Rise Time, ID=0.28A VGS=10V VDD=30V RG=6.0Ω: 11ns
● Turn–Off Delay Time, ID=0.28A VGS=10V VDD=30V RG=6.0Ω: 19ns
● Turn–Off Fall Time, ID=0.28A VGS=10V VDD=30V RG=6.0Ω: 2.6ns
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科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念,为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件,提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务,协助客户及厂商提高竞争能力,致力于成为电子半导体通路商之一。