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蓝箭电子 BSS123 N沟道MOS场效应管 SOT-23塑封封装
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蓝箭电子 BSS123 N沟道MOS场效应管 SOT-23塑封封装

灵敏的控制级触发电流和很低的维持电流。静电保护达2KV,无卤产品。

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    广东 深圳 龙华区 深圳市龙华区民治梅龙路南源商业大厦1105室
产品特性:低导通电阻品牌:BlueRocket/蓝箭电子型号:BSS123
封装:SOT-23批号:24+FET类型:功率MOSFET
漏源电压(Vdss):100V漏极电流(Id):8A漏源导通电阻(RDS On):0.023Ω
栅源电压(Vgs):1.1~2.5V栅极电荷(Qg):21nC反向恢复时间:3.0ns
最大耗散功率:75mW工作温度范围:-55 to 150°C安装类型:插入式
应用领域:汽车电子、 智能家居、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备数量:20000QQ:1186670662
资质:代理货源:原厂可售卖地:全国

蓝箭电子 BSS123 N沟道MOS场效应管 SOT-23塑封封装详细介绍

深圳市科瑞芯电子是BlueRocket/蓝箭电子的代理商,商品原厂原装

供应SOT-23塑封封装N沟道MOS场效应管,可为终端客户提供样品及技术支持!

深圳市内可送货上门,欢迎致电!


型号:BSS123

封装:SOT-23

数量:3000只/卷盘

品牌:BlueRocket/蓝箭电子


电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)

● Drain–Source Breakdown Voltage, VGS=0V ID=250μA: 100V

● ero Gate Voltage Drain Current:

IDSS(1) VDS=100V VGS=0V: 1.0μA

IDSS(2) VDS=100V VGS=0V Tj=85℃: 30μA

● Gate–Body Leakage, IGSS VGS=±20 VDS=0V: ±10uA

● On–State Drain Current, VDS=5.0V VGS=10V: 0.68A

● Gate Threshold Voltage: VDS=VGS ID=250uA: 1.5V 2.0V 2.5V

● Static Drain–Source On–Resistance:

RDS(on)(1) VGS=10V ID=0.17A: 3.3Ω-6.0Ω

RDS(on)(2) VGS=4.5V ID=0.17A: 4.0Ω-10Ω

● Drain–Source Diode Forward Voltage, VGS=0V IS=0.34A: 0.8V-1.3V

● Input Capacitance, VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz: 73pF

● Output Capacitance, VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz: 7pF

● Reverse Transfer Capacitance, VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz: 3.4pF

● Turn–On Delay Time, ID=0.28A VGS=10V VDD=30V RG=6.0Ω: 1.8ns

● Turn–On Rise Time, ID=0.28A VGS=10V VDD=30V RG=6.0Ω: 11ns

● Turn–Off Delay Time, ID=0.28A VGS=10V VDD=30V RG=6.0Ω: 19ns

● Turn–Off Fall Time, ID=0.28A VGS=10V VDD=30V RG=6.0Ω: 2.6ns


产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系


科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念,为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件,提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务,协助客户及厂商提高竞争能力,致力于成为电子半导体通路商之一。



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