| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：Fet/东沅 | 型号：FKBA0256 |
| 封装：PRPAK5x6 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：100V | 漏极电流(Id)：28.*** | 漏源导通电阻(RDS On)：20mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20V | 栅极电荷(Qg)：19.3nC | 反向恢复时间：45ns |
| 配置类型：沟槽式 | 工作温度范围：-55 to 150 ℃ | 安装类型：表面贴装式 |
| 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量：150000 | QQ：1186670662 |
| 资质：代理 | 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商，商品原厂原装
供应双N通道100V快速开关MOSFET，可为终端客户提供样品及技术支持！
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型号：FKBA0256
封装：PRPAK5x6
类型：双N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
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Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain- Source Breakdown Voltage: 100V
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=10V , ID=10A: 16.5~20mΩ
VGS=4.5V , ID=10A: 22~30mΩ
● Gate Threshold Voltage: 1.2V 1.8V 2.2V
● Drain-Source Leakage Current
VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate- Source Leakage Current: ±100nA
● Gate Resistance: 0.8Ω
● Total Gate Charge(10V): 17.9 nC
● Gate Source Charge: 2.8nC
● Gate-Drain Charge: 5.2nC
● Turn-On Delay Time: 13 ns
● Rise Time: 6ns
● Turn-Off Delay Time: 20ns
● Fall Time: 29ns
● Input Capacitance: 849pF
● Output Capacitance: 185pF
● Reverse Transfer Capacitance: 8pF
Diode Characteristics
● Continuous Source Current: 28.***
● Diode Forward Voltage: 1.2V
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科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。
