| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：Fet/东沅 | 型号：FKBA15810C |
| 封装：PRPAK5x6 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：100V | 漏极电流(Id)：100A | 漏源导通电阻(RDS On)：4.5mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20V | 栅极电荷(Qg)：72nC | 反向恢复时间：70nS |
| 配置类型：沟槽式 | 工作温度范围：-55 to 150 ℃ | 安装类型：表面贴装式 |
| 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量：170000 | QQ：1186670662 |
| 资质：代理 | 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商，商品原厂原装
供应N通道100V快速开关MOSFET，可为终端客户提供样品及技术支持！
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型号：FKBA15810C
封装：PRPAK5x6
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
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Features
★ Advanced Trench MOS Technology
★ 100.00% EAS Guaranteed
★ Super Low RDS(oN)
★ Green Device Available
Applications
★ MOTOR Driver
★ BMS
★ High frequency switching and synchronous rectification
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain- Source Breakdown Voltage: 100V
● Static Drain-Source On-Resistance: 3.7~4.5mΩ
● Gate Threshold Voltage: 2.0V 3.0V 4.0V
● Drain-Source Leakage Current
VDS=100V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=100V , VGS=0V , TJ=125℃: 10uA
● Gate- Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 50S
● Gate Resistance: 1Ω
● Total Gate Charge(10V): 72nC
● Gate Source Charge: 28nC
● Gate-Drain Charge: 15nC
● Turn-On Delay Time: 35ns
● Rise Time: 18ns
● Turn-Off Delay Time: 45ns
● Fall Time: 55ns
● Input Capacitance: 4725pF
● Output Capacitance: 609pF
● Reverse Transfer Capacitance: 14pF
Diode Characteristics
● Continuous Source Current: 100A
● Diode Forward Voltage: 1.3V
● Reverse Recovery Time: 70nS
● Reverse Recovery Charge: 170nC
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