深圳市科瑞芯电子有限公司
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  • 主营产品: 升降压芯片 PD协议芯片 电源管理 超薄桥堆-二极管
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Fet东沅 FKBA3004 高单元密度N沟道MOSFET 热銷中
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Fet东沅 FKBA3004 高单元密度N沟道MOSFET 热銷中

深圳市科瑞芯电子代理Fet东沅N通道30V快速开关MOSFET

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    严先生
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    销售工程师
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    13925219291
  • 地   址:
    广东 深圳 龙华区 深圳市龙华区民治梅龙路南源商业大厦1105室
产品特性:符合RoHS品牌:Fet/东沅型号:FKBA3004
封装:PRPAK5x6批号:24+FET类型:N通道MOS管
漏源电压(Vdss):30V漏极电流(Id):58A漏源导通电阻(RDS On):8.5mΩ
栅源电压(Vgs):±20V栅极电荷(Qg):72nC反向恢复时间:70nS
配置类型:沟槽式工作温度范围:-55 to 150 ℃安装类型:表面贴装式
应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备数量:10000QQ:1186670662
资质:代理货源:原厂可售卖地:全国

深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商,商品原厂原装

供应N通道30V快速开关MOSFET可为终端客户提供样品及技术支持!

深圳市内可送货上门,欢迎致电!


型号:FKBA3004

封装:PRPAK5x6

类型:N通道MOS管

品牌:Fet/东沅

温馨提示:公司产品丰富,如想求购具体型号可直接致电或QQ联系!


Description

The FKBA3004 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for most applications.The FKBA3004 meet the RoHS and GreenProduct requirement, *** EAS guaranteed withfull function reliability approved.


Features

● 100.00% EAS Guaranteed

● Green Device Available

● Super Low Gate Charge

● Excellent CdV/dt effect decline

● Advanced high cell density Trenchtechnology


Absolute Maximum Ratings

● Drain- Source Vltage:30V

● Gate-Source Voltage: ±20V

● Continuous Drain Current

ID@TC=25℃: 58A

ID@Tc=100℃: 38A

ID@TA=25℃: 12A

ID@TA=70℃: 9.6A

● Pulsed Drain Current: 11***

● Avalanche Current: 34A

● Total Power Dissipation

PD@TC=25℃: 46W

PD@TA=25℃: 2W

● Storage Temperature Range: -55 to 150℃

● Operating Junction Temperature Range: -55 to 150℃


Thermal Data

● Thermal Resistance Junction-Ambient: 62℃/W

● Thermal Resistance Junction-Case: 2.7℃/W


产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系


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