| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：Fet/东沅 | 型号：FKBA3054 |
| 封装：PRPAK5x6 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：30V | 漏极电流(Id)：50A | 漏源导通电阻(RDS On)：5.2mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20V | 栅极电荷(Qg)：19.3nC | 反向恢复时间：45ns |
| 配置类型：沟槽式 | 工作温度范围：-55 to 150 ℃ | 安装类型：表面贴装式 |
| 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量：80000 | QQ：1186670662 |
| 资质：代理 | 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
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型号：FKBA3054
封装：PRPAK5x6
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
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额定参数
● 漏极-源极电压：30V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃：50A
ID@Tc=100℃：31A
● 脉冲漏极电流：100A
● 单脉冲雪崩能量：61.3mJ
● 雪崩电流：3***
● 总功耗：21W
● 储存温度范围：-55-150℃
● 工作接点温度范围：-55-150℃
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：30V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=20A: 4.5~5.2mΩ
VGS=4.5V，ID=1***: 7.2~9mΩ
● 栅极阈值电压：1.2V 1.7V 2.2V
● 漏源漏电流
VDS=30V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=30V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：65S
● 栅极电阻：0.8Ω 1.7Ω 2.6Ω
● 总栅极电荷（4.5V）：8nC
● 栅极-源极电荷：9 nC
● 栅极-漏极电荷：3.6nC
● 开机延迟时间：7ns
● 上升时间：18.8ns
● 关闭延迟时间：19.5ns
● 秋季时间：3.4ns
● 输入电容：1113 pF
● 输出电容：436pF
● 反向传输电容：55pF
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