产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKCD3113 |
封装:DFN2*2 | 批号:24+ | FET类型:参考规格书 |
漏源电压(Vdss):-30V | 漏极电流(Id):-8A | 漏源导通电阻(RDS On):32mΩ |
栅源电压(Vgs):±8V | 栅极电荷(Qg):12.5nC | 反向恢复时间:34ns |
最大耗散功率:参考规格书mW | 配置类型:参考规格书 | 工作温度范围:-55 to 150℃ |
安装类型:参考规格书 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备 | 数量:10000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
东沅(Fetek)FKCD3113,P沟道30V快速开关MOSFET,封装DFN2*2
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FKCD3113产品说明
概述
FKCD3113将先-进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDSON。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。FKCD3113符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
特征
● 绿色设备可用
● 低栅极电荷
● 出-色的CdV/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度挖沟技术
额定参数
● 漏极-源极电压:-30V
● 栅极-源极电压:+20V
● 连续漏极电流
ID@TA=25℃:-8A
ID@TA=100℃:-6.3A
● 脉冲漏极电流:-32A
● 总功耗:2.8W
● 储存温度范围:-55~150°C
● 工作接点温度范围:-55~150°C
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
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