产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKD3004 |
封装:TO252 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):150V | 漏极电流(Id):55A | 漏源导通电阻(RDS On):8.5mΩ |
栅源电压(Vgs):±20A | 栅极电荷(Qg):24.9nC | 反向恢复时间:23.8ns |
最大耗散功率:62.5mW | 配置类型:沟槽型 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ |
安装类型:表面贴装式 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:70000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
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供应N沟道快速开关MOSFET,可为终端客户提供样品及技术支持!
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型号:FKD3004
封装:TO252
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain-Source Breakdown Voltage: 30V
● Temperature Coefficient Reference: 0.027V/℃
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=10V , ID=30A: 7.5~8.5mΩ
VGS=4.5V , ID=15A: 11~14mΩ
● Gate Threshold Voltage: 1.2~2.5V
● Temperature Coefficient: -5.8mV/℃
● Drain-Source Leakage Current
VDS=24 , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=24V , VGS=0V , TJ=125℃: 5uA
● Gate-Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 38S
● Gate Resistance: 2.2~3.5mΩ
● Total Gate Charge : 12.6 17.6nC
● Gate-Source Charge: 4.2 5.9nC
● Gate-Drain Charge: 5.1 7.1 nC
● Turn-On Delay Time: 4.6 9.2ns
● Rise Time: 12.2 22ns
● Turn-Off Delay Time: 26.6 53ns
● Fall Time: 8 16ns
● Input Capacitance: 1317 1843pF
● Output Capacitance: 163 228 pF
● Reverse Transfer Capacitance: 131 183pF
Diode Characteristics
● Continuous Source Current: 55A
● Pulsed Source Current: 110 A
● Diode Forward Voltage: 1.2V
● Reverse Recovery Time: 9.2nS
● Reverse Recovery Charge: 2nC
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