产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKD6014 |
封装:TO252 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):60V | 漏极电流(Id):20A | 漏源导通电阻(RDS On):40mΩ |
栅源电压(Vgs):±20A | 栅极电荷(Qg):24.9nC | 反向恢复时间:23.8ns |
最大耗散功率:62.5mW | 配置类型:沟槽型 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ |
安装类型:表面贴装式 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:100000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商,商品原厂原装
供应N沟道快速开关MOSFET,可为终端客户提供样品及技术支持!
由于电子行情价格波动大,无法实时更新价格, 下单时请先咨询客服~
型号:FKD6014
封装:TO252
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
温馨提示:公司产品丰富,如想求购具体型号可直接致电或QQ联系!
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain-Source Breakdown Voltage: 60V
● Temperature Coefficient Reference: 0.044V/℃
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=10V , ID=15A: 33~40mΩ
VGS=4.5V , ID=7A: 40~50mΩ
● Gate Threshold Voltage: 1.0~2.5V
● Temperature Coefficient: -4.8mV/℃
● Drain-Source Leakage Current
VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate-Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 25.3S
● Gate Resistance: 2.5Ω
● Total Gate Charge : 19nC
● Gate-Source Charge: 2.5nC
● Gate-Drain Charge: 5nC
● Turn-On Delay Time: 2.8ns
● Rise Time: 16.6ns
● Turn-Off Delay Time: 21.2ns
● Fall Time: 5.6ns
● Input Capacitance: 1027pF
● Output Capacitance: 65pF
● Reverse Transfer Capacitance: 46pF
Diode Characteristics
● Continuous Source Current: 20A
● Pulsed Source Current: 40A
● Diode Forward Voltage: 1.2V
● Reverse Recovery Time: 12.2nS
● Reverse Recovery Charge: 7.3nC
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
深圳市科瑞芯电子为多家国内外半导体厂商代理及方案合作商,产品多,规格全,质量优,供应及时,交货快捷。
主要耕耘市场为:
适配器、PD充电器、移动电源、无线充电源、户外储能电源、光伏储能、多媒体音响、HUB集线器、多功能扩展坞、家用电器、汽车电子等领域。
主要经营的品牌有:
GMT、ZOWIE、UTC、ETA、INJOINIC、SOUTHCHIP、VIA、BYD等等,更多品牌欢迎到店铺查看或来电咨询!
公司主营产品:
肖特基二极管、整流二极管、桥堆、电池充电管理IC、场效应管MOS、MCU、稳压IC、LDO低压差线性、三极管、AC-DC电源、DC-DC电源等,更多产品类型欢迎到店铺查看或来电咨询!