产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKH0018A |
封装:TO263 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):100V | 漏极电流(Id):58A | 漏源导通电阻(RDS On):22mΩ |
栅源电压(Vgs):±20A | 栅极电荷(Qg):24.9nC | 反向恢复时间:23.8ns |
最大耗散功率:62.5mW | 配置类型:沟槽型 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ |
安装类型:表面贴装式 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:10000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
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型号:FKH0018A
封装:TO263
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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描述
FKH0018A是高单元密度沟槽式N ch MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出-色的RDSON和栅极电荷。FKH0018A符合RoHS和绿色产品的要求,100.00%的EAS保-证,并通过了全功能可靠性认证。
特征
● 保-证100.00%EAS
● 绿色设备可用
● 超-低栅极电荷
● 出-色的CdV/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度挖沟技术
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏源击穿电压:100V
● 参考温度系数:0.096V/℃
● 静态漏极源导通电阻: 18~22mΩ
● 栅极阈值电压:2.5~4.5V
● 温度系数:-7mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=80V,VGS=0V,TJ=55℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:31S
● 栅极电阻:1.9Ω
● 闸门总电荷:27.6nC
● 栅极-源极电荷:11.4nC
● 栅极-漏极电荷:7.9nC
● 开机延迟时间:16.5ns
● 上升时间:35ns
● 关闭延迟时间:17.5ns
● 秋季时间:12ns
● 输入电容:1890pF
● 输出电容:268pF
● 反向传输电容:67pF
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念,为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件,提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务,协助客户及厂商提高竞争能力,致力于成为电子半导体通路商之一。