产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKP4024A |
封装:TO220 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):40V | 漏极电流(Id):167A | 漏源导通电阻(RDS On):3.3mΩ |
栅源电压(Vgs):±20A | 栅极电荷(Qg):24.9nC | 反向恢复时间:23.8ns |
最大耗散功率:62.5mW | 配置类型:沟槽型 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ |
安装类型:表面贴装式 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:30000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商,商品原厂原装
供应N沟道快速开关MOSFET,可为终端客户提供样品及技术支持!
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型号:FKP4024A
封装:TO220
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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Absolute Maximum Ratings
● Drain-Source Voltage: 40V
● VGS Gate-Source Voltage: ±20V
● Continuous Drain Current
ID@TA=25℃: 167A
ID@TA=70℃: 105A
● Pulsed Drain Current: 360A
● Single Pulse Avalanche Energy: 125mJ
● Avalanche Current: 50A
● Total Power Dissipation: 149W
● Storage Temperature Range: -55 to 150℃
● Operating Junction Temperature Range: -55 to 150℃
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain-Source Breakdown Voltage: 40V
● Static Drain-Source On-Resistance: 2.6~3.3mΩ
● Gate Threshold Voltage: 2~4.5V
● Drain-Source Leakage Current
VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate-Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 53S
● Gate Resistance: 0.8Ω
● Total Gate Charge : 65nC
● Gate-Source Charge: 24nC
● Gate-Drain Charge: 21nC
● Turn-On Delay Time: 26ns
● Rise Time: 38ns
● Turn-Off Delay Time: 63ns
● Fall Time: 20ns
● Input Capacitance: 4711pF
● Output Capacitance: 869pF
● Reverse Transfer Capacitance: 367pF
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念,为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件,提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务,协助客户及厂商提高竞争能力,致力于成为电子半导体通路商之一。