产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKS0014 |
封装:SOP8 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):100V | 漏极电流(Id):2A | 漏源导通电阻(RDS On):152mΩ |
栅源电压(Vgs):±20A | 栅极电荷(Qg):24.9nC | 反向恢复时间:23.8ns |
最大耗散功率:62.5mW | 配置类型:沟槽型 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ |
安装类型:表面贴装式 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:50000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商,商品原厂原装
供应N沟道快速开关MOSFET,可为终端客户提供样品及技术支持!
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型号:FKS0014
封装:SOP8
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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Absolute Maximum Ratings
● Drain-Source Voltage: 100V
● Gate-Source Voltage: ±20V
● Continuous Drain Current
ID@TA=25℃: 2A
ID@TA=70℃: 1.6A
● Pulsed Drain Current: 4A
● Total Power Dissipation: 1.5W
● Storage Temperature Range: -55 to 150℃
● Operating Junction Temperature Range: -55 to 150℃
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
● Temperature Coefficient Reference: 0.122V/℃
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=10V , ID=2A: 125~152mΩ
VGS=4.5V , ID=1A: 130~158mΩ
● Gate Threshold Voltage: 1.0~2.5V
● Temperature Coefficient: -4.84mV/℃
● Drain-Source Leakage Current
VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃: 10uA
VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃: 100uA
● Gate-Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 10.2S
● Gate Resistance: 2.3~4.6Ω
● Total Gate Charge: 25.5nC
● Gate-Source Charge: 4.2nC
● Gate-Drain Charge: 4.3nC
● Turn-On Delay Time: 17.3ns
● Rise Time: 2.8s
● Turn-Off Delay Time: 50ns
● Fall Time: 2.8ns
● Input Capacitance: 1077pF
● Output Capacitance: 46pF
● Reverse Transfer Capacitance: 32pF
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科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念,为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件,提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务,协助客户及厂商提高竞争能力,致力于成为电子半导体通路商之一。