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Fet东沅 FKS3437 30V P沟道MOS管 电机驱动器应用
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Fet东沅 FKS3437 30V P沟道MOS管 电机驱动器应用

FKS3437是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出-色的RDSON和栅极电荷。

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  • 地   址:
    广东 深圳 龙华区 深圳市龙华区民治梅龙路南源商业大厦1105室
产品特性:低栅极电荷品牌:Fet/东沅型号:FKS3437
封装:SOP8批号:24+FET类型:参考规格书
漏源电压(Vdss):-30V漏极电流(Id):-14A漏源导通电阻(RDS On):10.5mΩ
栅源电压(Vgs):±20V栅极电荷(Qg):12.5nC反向恢复时间:34ns
最大耗散功率:参考规格书mW配置类型:参考规格书工作温度范围:-55 to 150℃
安装类型:参考规格书应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备数量:20000
QQ:1186670662资质:代理货源:原厂
可售卖地:全国

Fet东沅 FKS3437 30V P沟道MOS管 电机驱动器应用详细介绍

东沅(Fetek)FKS3437,P沟道30V快速开关MOSFET,封装SOP8

深圳市科瑞芯电子有限公司常备料!欢迎致电咨询!!!


产品说明

额定参数

● 漏源电压:-30V

● 栅源电压:±20V

● 连续漏极电流

ID@TA=25℃:-14A

ID@TA=70℃:-12A

● 脉冲漏极电流:-50A

● 单脉冲雪崩能量:130.1mJ

● 雪崩电流:-51A

● 总功耗

PD@TA=25℃:3.1W

PD@TA=70℃:1.5W

● 储存温度范围:-55至150℃

● 工作接点温度范围:-55至150℃


电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)

● 漏源击穿电压:-30V

● 静态漏极源导通电阻

VGS=-10V,ID=-7A: 8.8~10.5mΩ

VGS=-4.5V,ID=-5.7A: 13~16mΩ

● 栅极阈值电压:-1.0~2.5V

● 漏源漏电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃:-1uA

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃:-5uA

● 栅源漏电流:±100nA

● 正向跨导:29S

● 栅极电阻:8Ω

● 闸门总电荷:24nC

● 栅极-源极电荷:5.9nC

● 栅漏电荷:8.5C

● 开机延迟时间:34ns

● 上升时间:36.8ns

● 关闭延迟时间:70.5ns

● 秋季时间:10.5ns

● 输入电容:2967pF

● 输出电容:348pF

● 反向传输电容:240pF


产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系


深圳市科瑞芯电子为多家国内外半导体厂商代理及方案合作商,产品多,规格全,质量优,供应及时,交货快捷。

主要耕耘市场为:

适配器、PD充电器、移动电源、无线充电源、户外储能电源、光伏储能、多媒体音响、HUB集线器、多功能扩展坞、家用电器、汽车电子等领域。

主要经营的品牌有:

GMT、ZOWIE、UTC、ETA、INJOINIC、SOUTHCHIP、VIA、BYD等等,更多品牌欢迎到店铺查看或来电咨询!

公司主营产品:

肖特基二极管、整流二极管、桥堆、电池充电管理IC、场效应管MOS、MCU、稳压IC、LDO低压差线性、三极管、AC-DC电源、DC-DC电源等,更多产品类型欢迎到店铺查看或来电咨询!



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