| 产品特性：符合RoHS | 品牌：AOS/万代 | 型号：AONZ66412 |
| 封装：DFN5x6F-8L | 批号：2025+ | FET类型：N沟道 |
| 漏源电压（Vdss）：40V | 漏极电流(Id)：182A | 漏源导通电阻(RDS On)：3.8mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20V | 栅极电荷(Qg)：18nC | 反向恢复时间：17ns |
| 最大耗散功率：3200mW | 工作温度范围：-55 to 150℃ | 应用领域：测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码 |
| 数量：50000 | QQ：1186670662 | 资质：代理 |
| 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是AOS/万代的供应商，商品原厂原装
可为终端客户提供样品及技术支持！
具体价格请咨询客服~
型号：AONZ66412
封装：DFN5x6F-8L
包装：3000Tape & Reel
应用：中压MOSFET (40V - 400V)
品牌：AOS/万代
温馨提示：由于公司产品型号较多，如有具体需求可直接致电或QQ联系！
一般说明
● 底部源技术
● Vgs 4.5V时极低RDS（ON）
● 低栅极电荷
● 高电流能力
● 符合RoHS 2.0和无卤素标准
应用
● DC/DC降压-升压转换器
● 负载点同步双路
Product Summary
| Symbol | Q1 | Q2 |
|---|---|---|
| VDS | 40V | 40V |
| ID(at VGS=10V) | 182A | 182A |
| RDS(ON)(at VGS=10V) | <2.4mΩ | <2.4mΩ |
| RDS(ON)(at VGS=4.5V) | <3.8mΩ | <3.8mΩ |
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。
