| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：AOS/万代 | 型号：AOSD21311C |
| 封装：SO8 | 批号：2025+ | FET类型：P沟道 |
| 漏源电压（Vdss）：-30V | 漏极电流(Id)：-*** | 漏源导通电阻(RDS On)：64mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20V | 栅极电荷(Qg)：6nC | 反向恢复时间：10ns |
| 最大耗散功率：1100mW | 工作温度范围：-55 to 150℃ | 应用领域：智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |
| 数量：60000 | QQ：1186670662 | 资质：代理 |
| 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是AOS/万代的供应商，商品原厂原装
供应30V双P沟道MOSFET，可为终端客户提供样品及技术支持！
深圳市内可送货上门，欢迎致电！
型号：AOSD21311C
封装：SO8
包装：3000Tape & Reel
应用：P沟道MOSFET (8V - 60V)
品牌：AOS/万代
温馨提示：由于公司产品型号较多，如有具体需求可直接致电或QQ联系！
General Description
● Latest Advanced Trench Technology
● Low RDS(ON)
● High Current Capability
● RoHS and Halogen-Free Compliant
Applications
● Notebook AC-in Load Switch
● Battery Protection Charge/Discharge
Product Summary
VDS -30V
ID (at VGS=-10V) -***
RDS(ON) (at VGS=-10V)<42mΩ
RDS(ON) (at VGS=-4.5V)<64mΩ
100-% UIS Tested
100-% Rg Tested
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