| 产品特性：符合RoHS | 品牌：AOS/万代 | 型号：AOSN32338C |
| 封装：SC70 | 批号：2025+ | FET类型：N沟道 |
| 漏源电压（Vdss）：30V | 漏极电流(Id)：3.7A | 漏源导通电阻(RDS On)：56mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±12V | 栅极电荷(Qg)：4nC | 反向恢复时间：5.5ns |
| 最大耗散功率：700mW | 工作温度范围：-55 to 150℃ | 应用领域：智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码 |
| 数量：30000 | QQ：1186670662 | 资质：代理 |
| 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是AOS/万代的供应商，商品原厂原装
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型号：AOSN32338C
封装：SC70
包装：3000Tape & Reel
应用：低压MOSFET (12V - 30V)
品牌：AOS/万代
温馨提示：由于公司产品型号较多，如有具体需求可直接致电或QQ联系！
一般说明
● 沟槽式功率MOSFET技术
● 低RDS（ON）
● 低栅极电荷
● 符合RoHS和无卤素标准
应用
● 负载切换的理想选择
产品目录
VDS 30V
ID（VGS=10V时）3.7A
RDS（ON）（VGS=4.5V时）<51mΩ
RDS（ON）（VGS=2.5V时）<56mΩ
RDS（ON）（VGS=1.8V时）<72mΩ
ESD保护
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
