产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKBA4206 |
封装:PRPAK5x6 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):40V | 漏极电流(Id):35A | 漏源导通电阻(RDS On):8.5mΩ |
栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):72nC | 反向恢复时间:70nS |
配置类型:沟槽式 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ | 安装类型:表面贴装式 |
应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:50000 | QQ:1186670662 |
资质:代理 | 货源:原厂 | 可售卖地:全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商,商品原厂原装
供应双N通道40V快速开关MOSFET,可为终端客户提供样品及技术支持!
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型号:FKBA4206
封装:PRPAK5x6
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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Absolute Maximum Ratings
● Drain- Source Vltage: -40V
● Gate-Source Voltage: ±20V
● Continuous Drain Current
ID@TC=25℃: 35A
ID@TC=100℃: 22A
ID@TA=25℃: 11A
ID@TA=70℃: 9A
● Pulsed Drain Current: 70A
● Single Pulse Avalanche Energy: 51mJ
● Avalanche Current: 32A
● Total Power Dissipation
PD@TC=25℃: 20.8W
PD@TA=25℃: 2W
● Storage Temperature Range: -55 to 150℃
● Operating Junction Temperature Range: -55 to 150℃
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain- Source Breakdown Voltage: 40V
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=10V , ID=10A: 7.9~8.5mΩ
VGS=4.5V , ID=8A: 10.8~12mΩ
● Gate Threshold Voltage: 1.0~2.5V
● Drain-Source Leakage Current
VDS=32V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=32V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate- Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 39S
● Gate Resistance: 1.6Ω
● Total Gate Charge (4.5V): 18.8nC
● Gate Source Charge: 4.7nC
● Gate-Drain Charge: 8.2nC
● Turn-On Delay Time: 14.3ns
● Rise Time: 2.6s
● Turn-Off Delay Time: 77ns
● Fall Time: 4.8ns
● Input Capacitance: 2332pF
● Output Capacitance: 193pF
● Reverse Transfer Capacitance: 138pF
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念,为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件,提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务,协助客户及厂商提高竞争能力,致力于成为电子半导体通路商之一。