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Fet东沅 FKS4094 N沟道MOS管 低RDSON 绿色无卤素
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Fet东沅 FKS4094 N沟道MOS管 低RDSON 绿色无卤素

科瑞芯电子供应Fet东沅N沟道MOSFET,只做原装。

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    广东 深圳 龙华区 深圳市龙华区民治梅龙路南源商业大厦1105室
产品特性:低栅极电荷品牌:Fet/东沅型号:FKS4094
封装:SOP8批号:24+FET类型:N通道MOS管
漏源电压(Vdss):40V漏极电流(Id):24A漏源导通电阻(RDS On):3.2mΩ
栅源电压(Vgs):±20A栅极电荷(Qg):24.9nC反向恢复时间:23.8ns
最大耗散功率:62.5mW配置类型:沟槽型工作温度范围:-55 to 150 ℃
安装类型:表面贴装式应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备数量:20000
QQ:1186670662资质:代理货源:原厂
可售卖地:全国

Fet东沅 FKS4094 N沟道MOS管 低RDSON 绿色无卤素详细介绍

深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的代理商(可提供代理证书),商品原厂原装

供应N沟道快速开关MOSFET,可为终端客户提供样品及技术支持!

由于电子行情价格波动大,无法实时更新价格,  下单时请先咨询客服~


型号:FKS4094

封装:SOP8

类型:N通道MOS管

品牌:Fet/东沅

温馨提示:公司产品丰富,如想求购具体型号可直接致电或QQ联系!


Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)

● Drain-Source Breakdown Voltage: 40V

● Static Drain-Source On-Resistance

VGS=10V , ID=20A: 2.5~3.2mΩ

VGS=4.5V , ID=15A: 3.8~5.3mΩ

● Gate Threshold Voltage: 1.3~2.2V

● Drain-Source Leakage Current

VDS=32V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA

VDS=32V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA

● Gate-Source Leakage Current: ±100nA

● Forward Transconductance: 75S

● Gate Resistance: 1.5Ω

● Total Gate Charge: 22.7nC

● Gate-Source Charge: 7.5nC

● Gate-Drain Charge: 5.5C

● Turn-On Delay Time: 10ns

● Rise Time: 5s

● Turn-Off Delay Time: 33ns

● Fall Time: 6.5ns

● Input Capacitance: 2648pF

● Output Capacitance: 899pF

● Reverse Transfer Capacitance: 71pF


Diode Characteristics

● Continuous Source Current: 30A

● Diode Forward Voltage: 1V


产品规格书(部分),如需详细规格书/ROHS报告/产品选型表/代理证书等资料请QQ索要或电话联系


Fet/东沅授权代理书

科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念,为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件,提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务,协助客户及厂商提高竞争能力,致力于成为电子半导体通路商之一。

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