产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKBA6016 |
封装:PRPAK5x6 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):60V | 漏极电流(Id):52A | 漏源导通电阻(RDS On):12mΩ |
栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):19.3nC | 反向恢复时间:45ns |
配置类型:沟槽式 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ | 安装类型:表面贴装式 |
应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:20000 | QQ:1186670662 |
资质:代理 | 货源:原厂 | 可售卖地:全国 |
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型号:FKBA6016
封装:PRPAK5x6
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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额定参数
● 栅源电压:±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃:52A
ID@TC=100℃:41A
ID@TA=25℃:
ID@TA=70℃:
● 脉冲漏极电流:120A
● 单脉冲雪崩能量:72.2mJ
● 雪崩电流:38A
● 总功耗:62.5W
● 储存温度范围:-55-150℃
● 工作接点温度范围:-55至150℃
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏极-源极击穿电压:60V
● BVDSS温度系数参考值:0.052V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V,ID=30A:12mΩ
VGS=4.5V,ID=15A:15mΩ
● 栅极阈值电压:1.2~2.5V
● VGS(th)温度系数:-5.76mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=48V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=48V,VGS=0V,TJ=55℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:42S
● 栅极电阻:1.5Ω
● 栅极总电荷(4.5V):53.3nC
● 栅极-源极电荷:10.5nC
● 栅极-漏极电荷:9.9nC
● 开机延迟时间:10.4ns
● 上升时间:9.2秒
● 关闭延迟时间:63.ns
● 秋季时间:4.8ns
● 输入电容:3240pF
● 输出电容:210pF
● 反向传输电容:146pF
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