产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKBA6024A |
封装:PRPAK5x6 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):60V | 漏极电流(Id):85A | 漏源导通电阻(RDS On):4.8mΩ |
栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):72nC | 反向恢复时间:70nS |
配置类型:沟槽式 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ | 安装类型:表面贴装式 |
应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:80000 | QQ:1186670662 |
资质:代理 | 货源:原厂 | 可售卖地:全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商,商品原厂原装
供应N通道60V快速开关MOSFET,可为终端客户提供样品及技术支持!
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型号:FKBA6024A
封装:PRPAK5x6
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain- Source Breakdown Voltage: 60V
● BVDSS Temperature Coefficient Reference: 0.058V/℃
● Static Drain-Source On-Resistance: 4.8mΩ
● Gate Threshold Voltage: 2.5~4.5V
● VGS(th) Temperature Coefficient: -7.8mV/℃
● Drain-Source Leakage Current
VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate- Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 50S
● Gate Resistance: 1.4Ω
● Total Gate Charge (4.5V): 83.7nC
● Gate Source Charge: 28.6nC
● Gate-Drain Charge: 29.3nC
● Turn-On Delay Time: 38.1ns
● Rise Time: 73.3s
● Turn-Off Delay Time: 51.6ns
● Fall Time: 26.1ns
● Input Capacitance: 5460pF
● Output Capacitance: 575pF
● Reverse Transfer Capacitance: 276pF
Diode Characteristics
● Continuous Source Current: 85A
● Diode Forward Voltage: 1.2V
● Reverse Recovery Time: 27nS
● Qrr Reverse Recovery Charge: 28nC
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科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念,为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件,提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务,协助客户及厂商提高竞争能力,致力于成为电子半导体通路商之一。