| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：Fet/东沅 | 型号：FKBA6056 |
| 封装：PRPAK5x6 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：60V | 漏极电流(Id)：58A | 漏源导通电阻(RDS On)：8.5mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20V | 栅极电荷(Qg)：72nC | 反向恢复时间：70nS |
| 配置类型：沟槽式 | 工作温度范围：-55 to 150 ℃ | 安装类型：表面贴装式 |
| 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量：10000 | QQ：1186670662 |
| 资质：代理 | 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商，商品原厂原装
供应单N沟道MOSFET，可为终端客户提供样品及技术支持！
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型号：FKBA6056
封装：PRPAK5x6
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
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Absolute Maximum Ratings
● Drain- Source Vltage: 60V
● Gate-Source Voltage: ±20V
● Continuous Drain Current
ID@TC=25℃: 58A
ID@TC=100℃: 37A
● Pulsed Drain Current: 250A
● Single Pulse Avalanche Energy: 26.5mJ
● Avalanche Current: 23A
● Total Power Dissipation: 50W
● Storage Temperature Range: -55 to 150℃
● Operating Junction Temperature Range: -55 to 150℃
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain- Source Breakdown Voltage: 60V
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=10V , ID=15A: 7.0~8.5mΩ
VGS=4.5V , ID=15A: 10.5~12.5mΩ
● Gate Threshold Voltage: 1.2~2.3V
● Drain-Source Leakage Current
VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate- Source Leakage Current: ±100nA
● Gate Resistance: 1.3Ω
● Total Gate Charge (4.5V): 15nC
● Gate Source Charge: 3.5nC
● Gate-Drain Charge: 4.2nC
● Turn-On Delay Time: 7ns
● Rise Time: 4.5s
● Turn-Off Delay Time: 26ns
● Fall Time: 5ns
● Input Capacitance: 1270pF
● Output Capacitance: 479pF
● Reverse Transfer Capacitance: 40pF
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。
