产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKD18N20 |
封装:TO252 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):200V | 漏极电流(Id):18A | 漏源导通电阻(RDS On):170mΩ |
栅源电压(Vgs):±20A | 栅极电荷(Qg):24.9nC | 反向恢复时间:23.8ns |
最大耗散功率:62.5mW | 配置类型:沟槽型 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ |
安装类型:表面贴装式 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:10000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
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型号:FKD18N20
封装:TO252
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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描述
FKD18N20是性能的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出-色的RDSON和栅极充电。FKD18N20符合RoHS和绿色产品要求,100.00%EAS保-证,全功能可靠性得到批准。
特征
● 超-低RDS(oN)
● 绿色设备可用
● 出-色的Cdv/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度挖沟技术
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏源击穿电压:200V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V,ID=9A: 170mΩ
VGS=4.5V,ID=9A: 180mΩ
● 栅极阈值电压:1.2~2.5V
● 漏源漏电流
VDS=160V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=160V,VGS=0V,TJ=125℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:22S
● 栅极电阻:2Ω
● 闸门总电荷:45nC
● 栅极-源极电荷:9nC
● 栅极-漏极电荷:10.5nC
● 开机延迟时间:13ns
● 上升时间:8.2ns
● 关闭延迟时间:25ns
● 秋季时间:11ns
● 输入电容:2047pF
● 输出电容:109pF
● 反向传输电容:70pF
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科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念,为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件,提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务,协助客户及厂商提高竞争能力,致力于成为电子半导体通路商之一。