| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：Fet/东沅 | 型号：FKN0008 |
| 封装：SOT23 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：100V | 漏极电流(Id)：1.2A | 漏源导通电阻(RDS On)：310mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20A | 栅极电荷(Qg)：24.9nC | 反向恢复时间：23.8ns |
| 最大耗散功率：62.5mW | 配置类型：沟槽型 | 工作温度范围：-55 to 150 ℃ |
| 安装类型：表面贴装式 | 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量：40000 |
| QQ：1186670662 | 资质：代理 | 货源：原厂 |
| 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商，商品原厂原装
供应N沟道快速开关MOSFET，可为终端客户提供样品及技术支持！
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型号：FKN0008
封装：SOT23
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
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Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
● Temperature Coefficient Reference: -0.067V/℃
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=10V , ID=1A: 260~310mΩ
VGS=4.5V , ID=0.5A: 270~320mΩ
● Gate Threshold Voltage: -1.0V -1.5V -2.5V
● Temperature Coefficient: -4.2mV/℃
● Drain-Source Leakage Current
VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate-Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 2.4S
● Gate Resistance: 2.8~5.6Ω
● Total Gate Charge : 9.7~13.6nC
● Gate-Source Charge: 1.6~2.2nC
● Gate-Drain Charge: 1.7~2.4nC
● Turn-On Delay Time: 1.6~3.2ns
● Rise Time: 19~34ns
● Turn-Off Delay Time: 13.6~27ns
● Fall Time: 19~38ns
● Input Capacitance: 508~711pF
● Output Capacitance: 29~41pF
● Reverse Transfer Capacitance: 16.4~23pF
Diode Characteristics
● Continuous Source Current: 1.2A
● Pulsed Source Current: 5A
● Diode Forward Voltage: 1.2V
● Reverse Recovery Time: 14nS
● Reverse Recovery Charge: 9.3nC
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