产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKL6107 |
封装:SOT223 | 批号:24+ | FET类型:参考规格书 |
漏源电压(Vdss):-60V | 漏极电流(Id):-2.3A | 漏源导通电阻(RDS On):180mΩ |
栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):12.5nC | 反向恢复时间:34ns |
最大耗散功率:参考规格书mW | 配置类型:参考规格书 | 工作温度范围:-55 to 150℃ |
安装类型:参考规格书 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备 | 数量:90000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
东沅(Fetek)FKL6107,P沟道60V快速开关MOSFET,封装SOT223
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产品说明
描述
FKL6107是高单元密度沟槽P ch MOSFET,它为大多数小功率开关和负载开关应用提供了***的RDSON和效率。FKL6107符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
特征
● 保-证100.00%EAS
● 绿色设备可用
● 低RDS(ON)
● 出-色的CdV/dt效应下降
● ***的高细胞密度挖沟技术
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏源击穿电压:-60V
● 参考温度系数:-0.038V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=-10V,ID=-2A: 140~180mΩ
VGS=-5V,ID=-1.5A: 200~260mΩ
● 栅极阈值电压:-1.5V-2.0V-2.5V
● 温度系数:4.92mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=-48V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=-48V,VGS=0V,TJ=55℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:5.3S
● 闸门总电荷:8.3~11.6nC
● 栅源电荷:1.8~2.52nC
● 栅漏电荷:1.6~2.25nC
● 开机延迟时间:4.1~8.2ns
● 上升时间:21~38ns
● 关机延迟时间:20.3~40.6ns
● 秋季时间:21~42ns
● 输入电容:428~600pF
● 输出电容:39~55pF
● 反向转移电容:26~36.4pF
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
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