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Fet东沅 FKP6048 N沟道MOS管 二次侧同步整流应用
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Fet东沅 FKP6048 N沟道MOS管 二次侧同步整流应用

科瑞芯电子供应Fet东沅N沟道MOSFET,只做原装。

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    广东 深圳 龙华区 深圳市龙华区民治梅龙路南源商业大厦1105室
产品特性:低栅极电荷品牌:Fet/东沅型号:FKP6048
封装:TO220批号:24+FET类型:N通道MOS管
漏源电压(Vdss):60V漏极电流(Id):120A漏源导通电阻(RDS On):4.5mΩ
栅源电压(Vgs):±20A栅极电荷(Qg):24.9nC反向恢复时间:23.8ns
最大耗散功率:62.5mW配置类型:沟槽型工作温度范围:-55 to 150 ℃
安装类型:表面贴装式应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备数量:80000
QQ:1186670662资质:代理货源:原厂
可售卖地:全国

Fet东沅 FKP6048 N沟道MOS管 二次侧同步整流应用详细介绍

深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商,商品原厂原装

可为终端客户提供样品及技术支持!

欢迎致电!


型号:FKP6048

封装:TO220

类型:N通道MOS管

品牌:Fet/东沅

温馨提示:公司产品丰富,如想求购具体型号可直接致电或QQ联系!


特征

● 先-进的沟槽技术

● 100.00%UIS测试

● 绿色设备可用


应用

● DC-DC转换器

● 电机控制

● 负载切换

● 二次侧同步整流


电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)

● 漏源击穿电压:60V

● 静态漏极源导通电阻

VGS=10V,ID=20A: 4.5mΩ

VGS=4.5V,ID=15A: 6.5mΩ

● 栅极阈值电压:1.2~2.3V

● 漏源漏电流

VDS=48V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA

VDS=48V,VGS=0V,TJ=55℃:5uA

● 栅源漏电流:±100nA

● 正向跨导:65S

● 栅极电阻:0.9Ω

● 闸门总电荷:58nC

● 栅极-源极电荷:16nC

● 栅极-漏极电荷:4nC

● 开机延迟时间:18ns

● 上升时间:9ns

● 关闭延迟时间:50ns

● 秋季时间:10.5ns

● 输入电容:3458pF

● 输出电容:1522pF

● 反向传输电容:22pF


产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系


深圳市科瑞芯电子为多家国内外半导体厂商代理及方案合作商,产品多,规格全,质量优,供应及时,交货快捷。

主要耕耘市场为:

适配器、PD充电器、移动电源、无线充电源、户外储能电源、光伏储能、多媒体音响、HUB集线器、多功能扩展坞、家用电器、汽车电子等领域。

主要经营的品牌有:

GMT、ZOWIE、UTC、ETA、INJOINIC、SOUTHCHIP、VIA、BYD等等,更多品牌欢迎到店铺查看或来电咨询!

公司主营产品:

肖特基二极管、整流二极管、桥堆、电池充电管理IC、场效应管MOS、MCU、稳压IC、LDO低压差线性、三极管、AC-DC电源、DC-DC电源等,更多产品类型欢迎到店铺查看或来电咨询!

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