| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：Fet/东沅 | 型号：FKD6040 |
| 封装：TO252 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：60V | 漏极电流(Id)：112A | 漏源导通电阻(RDS On)：5.2mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20A | 栅极电荷(Qg)：24.9nC | 反向恢复时间：23.8ns |
| 最大耗散功率：62.5mW | 配置类型：沟槽型 | 工作温度范围：-55 to 150 ℃ |
| 安装类型：表面贴装式 | 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量：30000 |
| QQ：1186670662 | 资质：代理 | 货源：原厂 |
| 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商，商品原厂原装
供应N沟道快速开关MOSFET，可为终端客户提供样品及技术支持！
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型号：FKD6040
封装：TO252
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
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Description
The FKD6040 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The FKD6040 meet the RoHS and Green Product requirement, *** EAS guaranteed with full function reliability approved.
Features
● 100.00% EAS Guaranteed
● Green Device Available
● Super Low Gate Charge
● Excellent CdV/dt effect decline
● Advanced high cell density Trench technology
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain-Source Breakdown Voltage: 60V
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=10V , ID=30A: 4.3~5.2mΩ
VGS=4.5V , ID=20A: 6~7mΩ
● Gate Threshold Voltage: 1.2~2.5V
● Drain-Source Leakage Current
VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate-Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 75S
● Gate Resistance: 0.7Ω
● Total Gate Charge : 75nC
● Gate-Source Charge: 15.5nC
● Gate-Drain Charge: 20.3nC
● Turn-On Delay Time: 18.5ns
● Rise Time: 8.8ns
● Turn-Off Delay Time: 58.8ns
● Fall Time: 15.8ns
● Input Capacitance: 4706pF
● Output Capacitance: 325pF
● Reverse Transfer Capacitance: 245pF
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适配器、PD充电器、移动电源、无线充电源、户外储能电源、光伏储能、多媒体音响、HUB集线器、多功能扩展坞、家用电器、汽车电子等领域。
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