| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：Fet/东沅 | 型号：FKP8024A |
| 封装：TO220 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：80V | 漏极电流(Id)：108A | 漏源导通电阻(RDS On)：65mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20A | 栅极电荷(Qg)：24.9nC | 反向恢复时间：23.8ns |
| 最大耗散功率：62.5mW | 配置类型：沟槽型 | 工作温度范围：-55 to 150 ℃ |
| 安装类型：表面贴装式 | 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量：30000 |
| QQ：1186670662 | 资质：代理 | 货源：原厂 |
| 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商，商品原厂原装
供应N沟道快速开关MOSFET，可为终端客户提供样品及技术支持！
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型号：FKP8024A
封装：TO220
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
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Description
The FKP8024A is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buckconverter applications. The FKP8024A meet the RoHS and GreenProduct requirement, 100.00% EAS guaranteed withfull function reliability approved.
Features
● 100.00% EAS Guaranteed
● Green Device Available
● Super Low Gate Charge
● Excellent CdV/dt effect decline
● Advanced high cell density Trenchtechnology
Absolute Maximum Ratings
● Drain-Source Voltage: 80V
● VGS Gate-Source Voltage: ±20V
● Continuous Drain Current
ID@TA=25℃: 108A
ID@TA=70℃: 68A
● Pulsed Drain Current: 200A
● Single Pulse Avalanche Energy: 125mJ
● Avalanche Current: 50A
● Total Power Dissipation: 149W
● Storage Temperature Range: -55 to 150℃
● Operating Junction Temperature Range: -55 to 150℃
Thermal Data
● Thermal Resistance Junction-Ambient: 55℃/W
● Thermal Resistance Junction-Case: 0.84℃/W
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。
