| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：Fet/东沅 | 型号：FKBA6214 |
| 封装：PRPAK5x6 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：60V | 漏极电流(Id)：17A | 漏源导通电阻(RDS On)：42mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20V | 栅极电荷(Qg)：19.3nC | 反向恢复时间：45ns |
| 配置类型：沟槽式 | 工作温度范围：-55 to 150 ℃ | 安装类型：表面贴装式 |
| 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量：80000 | QQ：1186670662 |
| 资质：代理 | 货源：原厂 | 可售卖地：全国 |
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型号：FKBA6214
封装：PRPAK5x6
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
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描述
FKBA6214是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出-色的RDSON和栅极电荷。FKBA6214符合RoHS和绿色产品要求，100.00%EAS保-证，全功能可靠性得到批准。
特征
● 100.00%EAS保-证
● 绿色设备可用
● 超-低栅极电荷
● 出-色的CdV/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度沟槽技术
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：60V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=20A:1.7~2.1mΩ
VGS=4.5V，ID=20A:2.3~3.2mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.3V
● 漏源漏电流
VDS=48V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=48V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：60S
● 栅极电阻：1.6Ω
● 栅极总电荷（10V）：102nC
● 栅极总电荷（4.5V）：54.1nC
● 栅极-源极电荷：15.7nC
● 栅极-漏极电荷：27.9nC
● 开机延迟时间：15ns
● 上升时间：12s
● 关闭延迟时间：60ns
● 秋季时间：19ns
● 输入电容：5471pF
● 输出电容：1847pF
● 反向传输电容：86pF
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