| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：Fet/东沅 | 型号：FKD6056 |
| 封装：TO252 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：60V | 漏极电流(Id)：58A | 漏源导通电阻(RDS On)：8.5mΩ |
| 栅源电压(Vgs)：±20A | 栅极电荷(Qg)：24.9nC | 反向恢复时间：23.8ns |
| 最大耗散功率：62.5mW | 配置类型：沟槽型 | 工作温度范围：-55 to 150 ℃ |
| 安装类型：表面贴装式 | 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量：100000 |
| QQ：1186670662 | 资质：代理 | 货源：原厂 |
| 可售卖地：全国 |
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型号：FKD6056
封装：TO252
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
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特征
● 先-进的沟槽MOS技术
● 低栅极电荷
● 低RDS（ON）
● ***100.00%EAS
● 绿色设备可用
应用
● 电机控制
● DC/DC转换器
● 同步整流器应用
额定参数
● 漏极-源极电压：60V
● 栅极-源极电压：+20V
● 连续漏极电流
ID@TA=25℃：58A
ID@TA=100℃：36.6A
● 脉冲漏极电流：125A
● 单脉冲雪崩能量：26.5mJ
● 雪崩电流：23A
● 总功耗：52W
● 储存温度范围：-55至150°C
● 工作接点温度范围：-55至150°C
热数据
● 热阻结环境：60℃/W
● 热阻结-情况：2.4℃/W
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。
