产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKL0107 |
封装:SOT223 | 批号:24+ | FET类型:参考规格书 |
漏源电压(Vdss):-100V | 漏极电流(Id):-1.5A | 漏源导通电阻(RDS On):0.65mΩ |
栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):12.5nC | 反向恢复时间:34ns |
最大耗散功率:参考规格书mW | 配置类型:参考规格书 | 工作温度范围:-55 to 150℃ |
安装类型:参考规格书 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备 | 数量:70000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
东沅(Fetek)FKL0107,P沟道100V快速开关MOSFET,封装SOT223
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产品说明
Description
The FKL0107 is the high cell density trenchedP-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronousbuck converter applications.The FKL0107 meet the RoHS and Green Productrequirement with full function reliability approved.
Features
● Green Device Available
● Super Low RDS(ON)
● Excellent CdV/dt effect decline
● Advanced high cell density Trenchtechnology
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
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