产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKL3103 |
封装:SOT223 | 批号:24+ | FET类型:参考规格书 |
漏源电压(Vdss):-30V | 漏极电流(Id):5.8A | 漏源导通电阻(RDS On):32mΩ |
栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):12.5nC | 反向恢复时间:34ns |
最大耗散功率:参考规格书mW | 配置类型:参考规格书 | 工作温度范围:-55 to 150℃ |
安装类型:参考规格书 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备 | 数量:80000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
东沅(Fetek)FKL3103,P沟道30V快速开关MOSFET,封装SOT223
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产品说明
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain-Source Breakdown Voltage: -30V
● Temperature Coefficient Reference: -0.022V/℃
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=-10V , ID=-5A: 26~32mΩ
VGS=-4.5V , ID=-4A: 36~45mΩ
● Gate Threshold Voltage: -1.0V -1.5V -2.5V
● Temperature Coefficient: 4.6mV/℃
● Drain-Source Leakage Current
VDS=-24V , VGS=0V , TJ=25℃: -1uA
VDS=-24V , VGS=0V , TJ=55℃: -5uA
● Gate-Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 17S
● Gate Resistance: 13~26Ω
● Total Gate Charge : 12.6~17.6nC
● Gate-Source Charge: 4.8~6.7nC
● Gate-Drain Charge: 4.8~6.7nC
● Turn-On Delay Time: 4.6~9.2ns
● Rise Time: 14.8~26.6ns
● Turn-Off Delay Time: 41~82ns
● Fall Time: 19.6~39.2ns
● Input Capacitance: 1345~1883pF
● Output Capacitance: 194~272pF
● Reverse Transfer Capacitance: 158~221pF
Diode Characteristics
● Continuous Source Current: -5.8A
● Pulsed Source Current: -24A
● Diode Forward Voltage: 1.2V
● Reverse Recovery Time: 16.3nS
● Reverse Recovery Charge: 5.9nC
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
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