产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKL3107 |
封装:SOT223 | 批号:24+ | FET类型:参考规格书 |
漏源电压(Vdss):-30V | 漏极电流(Id):-3.9A | 漏源导通电阻(RDS On):70mΩ |
栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):12.5nC | 反向恢复时间:34ns |
最大耗散功率:参考规格书mW | 配置类型:参考规格书 | 工作温度范围:-55 to 150℃ |
安装类型:参考规格书 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备 | 数量:80000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
东沅(Fetek)FKL3107,P沟道30V快速开关MOSFET,封装SOT223
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产品说明
额定参数
● 漏极-源极电压:-30V
● 栅极-源极电压:+20V
● 连续漏极电流
ID@TA=25℃:-3.9A
ID@TA=100℃:-3.1A
● 脉冲漏极电流:-16A
● 总功耗:1.5W
● 储存温度范围:-55至150°C
● 工作接点温度范围:-55至150°C
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏源击穿电压:-30V
● 参考温度系数:-0.02V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=-10V,ID=-3A: 55~70mΩ
VGS=-4.5V,ID=-1.5A: 90~120mΩ
● 栅极阈值电压:-1.0V-1.5V-2.5V
● 温度系数:4.32mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=-24V,VGS=0V,TJ=25℃:-1uA
VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃:-5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:4.8S
● 栅极电阻:24~48Ω
● 总栅极电荷:5.22nC
● 栅极-源极电荷:1.25nC
● 栅极-漏极电荷:3nC
● 开机延迟时间:18.4ns
● 上升时间:11.4ns
● 关闭延迟时间:39.4ns
● 秋季时间:5.2ns
● 输入电容:463pF
● 输出电容:82pF
● 反向传输电容:68pF
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
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