产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKR4016 |
封装:TO251 | 批号:24+ | FET类型:N通道MOS管 |
漏源电压(Vdss):40V | 漏极电流(Id):75A | 漏源导通电阻(RDS On):6.5mΩ |
栅源电压(Vgs):±20A | 栅极电荷(Qg):24.9nC | 反向恢复时间:23.8ns |
最大耗散功率:62.5mW | 配置类型:沟槽型 | 工作温度范围:-55 to 150 ℃ |
安装类型:表面贴装式 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量:80000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
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型号:FKR4016
封装:TO251
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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描述
FKR4016是高单元密度沟槽式N沟MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出-色的RDSON和栅极电荷。FKR4016符合RoHS和绿色产品要求,100.00%EAS保-证,并通过了全功能可靠性认证。
特征
● 保-证100.00%EAS
● 绿色设备可用
● 低栅极电荷
● 出-色的Cdv/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度沟槽技术
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏源击穿电压:40V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=32V,ID=15A: 6.5mΩ
VGS=32V,ID=12A: 9mΩ
● 栅极阈值电压:1.0~2.5V
● 漏源漏电流
VDS=-24V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:27S
● 栅极电阻:1.4Ω
● 闸门总电荷:28nC
● 栅极-源极电荷:7.85nC
● 栅极漏极电荷:12.5nC
● 开机延迟时间:20.2ns
● 上升时间:11.8ns
● 关闭延迟时间:84.8ns
● 秋季时间:8.6ns
● 输入电容:3354pF
● 输出电容:275pF
● 反向传输电容:204pF
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
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