产品特性:低栅极电荷 | 品牌:Fet/东沅 | 型号:FKR3115 |
封装:TO251 | 批号:24+ | FET类型:参考规格书 |
漏源电压(Vdss):-30V | 漏极电流(Id):-57A | 漏源导通电阻(RDS On):10.5mΩ |
栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):12.5nC | 反向恢复时间:34ns |
最大耗散功率:参考规格书mW | 配置类型:参考规格书 | 工作温度范围:-55 to 150℃ |
安装类型:参考规格书 | 应用领域:汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备 | 数量:50000 |
QQ:1186670662 | 资质:代理 | 货源:原厂 |
可售卖地:全国 |
东沅(Fetek)FKR3115,P沟道30V快速开关MOSFET,封装TO251
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产品说明
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain-Source Breakdown Voltage: -30V
● Temperature Coefficient Reference: -0.018V/℃
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=-10V , ID=-20A: 10.5mΩ
VGS=-4.5V , ID=-12A: 18.5mΩ
● Gate Threshold Voltage: -1.2~-2.5V
● Temperature Coefficient: 5.04mV/℃
● Drain-Source Leakage Current
VDS=-24V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=-24V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate-Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 26.4S
● Total Gate Charge: 33nC
● Gate-Source Charge: 10.7nC
● Gate-Drain Charge: 12.8nC
● Turn-On Delay Time: 8ns
● Rise Time: 17.3ns
● Turn-Off Delay Time: 78.4ns
● Fall Time: 43.6ns
● Input Capacitance: 3448pF
● Output Capacitance: 508pF
● Reverse Transfer Capacitance: 421pF
Diode Characteristics
● Continuous Source Current: -57A
● Pulsed Source Current: -180A
● Diode Forward Voltage: -1.2V
● Reverse Recovery Time: 29nS
● Reverse Recovery Charge: 15nC
产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系
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