| 产品特性：符合RoHS | 品牌：DOWELL/敦为 | 型号：DWT5R604M |
| 封装：PDFN3X3 | 批号：24+ | FET类型：N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）：40V | 漏极电流(Id)：60A | 漏源导通电阻(RDS On)：3.5m? @10V |
| 栅源电压(Vgs)：±20V | 栅极电荷(Qg)：25nC | 反向恢复时间：21ns |
| 最大耗散功率：52mW | 配置类型：沟槽型 | 工作温度范围：-50至150°C |
| 安装类型： 表面贴装式 | 应用领域：汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备 | 数量：20000 |
| QQ：1186670662 | 资质：代理 | 货源：原厂 |
| 可售卖地：全国 |
深圳市科瑞芯电子是DOWELL/敦为的供应商，商品原厂原装
供应40V/60A N沟道gao级功率MOSFET，可为终端客户提供样品及技术支持！
由于电子行情价格波动大，无法实时更新价格, 下单时请先咨询客服！
型号：DWT5R604M
封装：PDFN3X3
数量：5000PCS/Reel
品牌：DOWELL/敦为
Features
● Low RDS(on)@VGS=10V
● 10V Logic Level Control
● 100.00% UIS Tested
● Pb-Free, RoHS Compliant
Static Electrical Characteristics @TJ=25°C (unless otherwise stated)
● Drain-Source Breakdown Voltage: 40V
● Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=40V, VGS=0V: 1μA
VDS=32V, VGS=0V: 100nA
● Gate-Body Leakage Current: ±100nA
● Gate Threshold Voltage: 1.5V 2.0V 2.5V
● Drain-Source On-State Resistance: 3.5~5.0m?
● Drain-Source On-State Resistance: 6.2~7.5m?
Dynamic Electrical Characteristics @TJ=25°C (unless otherwise stated)
● Input Capacitance: 1130pF
● Output Capacitance: 383pF
● Reverse Transfer Capacitance: 63pF
● Total Gate Charge: 25nC
● Gate Source Charge: 2.4nC
● Gate Drain Charge: 6.9nC
Switching Characteristics
● Turn on Delay Time: 10ns
● Turn on Rise Time: 21ns
● Turn Off Delay Time: 32ns
● Turn Off Fall Time: 12ns
Source Drain Diode Characteristics
● Source drain current(Body Diode): 80A
● Forward on voltage: 0.84~1.2V
如需详细规格书/ROHS报告/产品选型表/代理证书等资料请QQ索要或电话联系
深圳市科瑞芯电子为多家国内外半导体厂商代理及方案合作商，产品多，规格全，质量优，供应及时，交货快捷。
主要耕耘市场为：
适配器、PD充电器、移动电源、无线充电源、户外储能电源、光伏储能、多媒体音响、HUB集线器、多功能扩展坞、家用电器、汽车电子等领域。
主要经营的品牌有：
GMT、ZOWIE、UTC、ETA、INJOINIC、SOUTHCHIP、VIA、BYD等等，更多品牌欢迎到店铺查看或来电咨询！
公司主营产品：
肖特基二极管、整流二极管、桥堆、电池充电管理IC、场效应管MOS、MCU、稳压IC、LDO低压差线性、三极管、AC-DC电源、DC-DC电源等，更多产品类型欢迎到店铺查看或来电咨询！
